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【摘 要】
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基于IBM0．18μm SiGe BiCMOS工艺，提出了一种应用于2．4～2．5GHz802．11b／g频段的低噪声放大器（LNA）。电路采用全差分发射极电感负反馈共射共基（Cascode）结构，对称电感有效地降低了芯片面积，
【机 构】
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华东师范大学微电子电路与系统研究所,华东师范大学纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2009年5期
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