【摘 要】
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采用水热法以Cu片为基底,Cu（NO3）2为铜源,十二烷基苯磺酸钠（SDBS）为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O（Ag/Cu2O）薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线
【机 构】
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桂林理工大学化学与生物工程学院; 桂林电子科技大学生命与环境科学学院;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61264007)
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采用水热法以Cu片为基底,Cu（NO3）2为铜源,十二烷基苯磺酸钠（SDBS）为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O（Ag/Cu2O）薄膜。研究了样品的光电性能及电容-电压特性等,并用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和能谱仪（EDS）对其晶体结构、形貌及组成进行了表征。结果表明,当体系中Ag+浓度为0.03 mmol/L时,Ag/Cu2O薄膜的光电性能最佳,光电压和光电流密度分别为0.458 5 V和3.011 mA·cm-2,比Cu2O薄膜分别提高了0.205 1 V和1.359 mA·cm-2;Ag/Cu2O薄膜的载流子浓度达到3.10×1020 cm-3,比Cu2O薄膜提高了2.38×1020 cm-3。XRD,SEM和EDS结果显示,Ag/Cu2O薄膜的结晶性比Cu2O薄膜好,但其粒径有所增大,Ag/Cu2O薄膜中Ag元素的原子数分数为0.13%。
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