【摘 要】
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本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级
【机 构】
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南开大学物理系,美国stanford大学,美国stanford大学,美国stanford大学 天津
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本文报道了用I-I＇法测量在超高真空中n型GaAs(110)解理面上制备的Cu、Ag、Au二极管的肖特基势垒高度,以及用同步辐射的软X射线光电子谱测定的Cu在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置.两种方法的结果符合得很好.贵金属在n型GaAs(110)上界面费米能级的位置处于导带以下0.9±0.05eV处,相当于同样数值的势垒高度,并与缺陷模型中的施主能级的位置相对应.
In this paper, the Schottky barrier height of Cu, Ag, Au diodes fabricated on n-type GaAs (110) cleaved surface in ultra-high vacuum and soft X-ray photoelectron spectroscopy using synchrotron radiation Of Cu on the n-type GaAs (110) interface at the Fermi level.The results of the two methods fit well.The position of the noble metal at the interface of n-type GaAs (110) is below the conduction band 0.9 ± At 0.05 eV, it corresponds to the same numerical barrier height and corresponds to the position of the donor level in the defect model.
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