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砷化锗镉，CdGeAs2，是三元的黄铜矿类半导体，具有非常高的非线性光学系数（236pm／v），这使得其作为CO2激光器倍频转换方面有突出的优势。长期以来生长晶体时由于存在严重的各向异性而使晶体开裂。砷化锗镉晶体在5．5μm处存在强吸收使得频率转化的效率非常低，此吸收是晶体内存在大量受体缺陷造成的。本文对晶体生长的几种方法和红外吸收进行论述，并提出掺杂予体的方法降低红外吸收。