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通过对不同氧化层厚度的N－MOSFET在各种条件下加速寿命实验的研究，发现栅电压漂移符合Weibull分布。Weibull分布统计分析表明，5．0、7．0和9．0nm器件在27和105C下本征失效的形状因子相同，即本征失效的失效机制在高低温度下相同。非本征失效的比例随温度升高而增大。在此基础上得出平均寿命（t50）与加速电场E成指数关系，进而提出了器件的寿命预测方法。此方法可预测超薄栅N－MOSFET在FN应力下的寿命。