掺磷中孔SiO2在30℃-200℃范围内的质子导电性

• 作 者: 邹智毅 魏小兰 李丽坤 付珍 方军 古国榜
• 机 构: 华南理工大学化学与化工学院,厦门大学化学与化工学院化学与生物工程系
• 出 处: 广州化工
• 发表日期: 2010年2期
• 关键词: 掺磷中孔SiO2 中温 质子电导 mesoporous phosphorus -hybrid SiO2 intermediate temperature p
• 基金项目: 基金项目：科技部十一五“863”计划（2008AA05Z107）,华南理工大学学生研究计划（SRP）.

合成了孔壁掺磷中孔SiO2（m—PH—SiO2），其BET比表面积为407m^2g^-1，BJH平均孔径为6．1nm。用交流阻抗技术测定了除去游离P2O3的掺磷中孔SiO2在30℃-200℃范围内100％相对湿度下的质子电导，样品导电率随温度升高而升高，在150℃和100％相对湿度下，样品的电导可达3．1×10～S·em^-1，比纯中孑LSiO2（m—SiO2）的电导约高一个数量级，原因是m—PH—SiO2的物理吸附水量为31个分子／nm^2，而m—SiO2只有24个分子／nm^2。