氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究

• 作 者: 王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟
• 机 构: 发光学与应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院研究生院
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2012年7期
• 关键词: 杂质 氮化物 热扩散 impurities nitrides thermal diffusion
• 基金项目: 国家自然科学基金（51072196,51072195）资助项目

采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱（EDS）以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明：在1 250℃的温度下,氮化硅（SiNx）作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电流-电压（I-V）测试表明：在460℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10^-3S·m-1增加到2.1×10^-2S·m^-1。高温变温电导测试表明：氮空位（VN^3＋）和Si在AlN中的激活能为1.03 eV和0.