【摘 要】
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随着电子器件和光电子器件微型化与集成化的发展,膜厚在微米级的铁电薄膜材料已成为近年来新材料研究的热点之一。铁电薄膜材料具有独特的电学、光学、热学、声学等性能,并
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随着电子器件和光电子器件微型化与集成化的发展,膜厚在微米级的铁电薄膜材料已成为近年来新材料研究的热点之一。铁电薄膜材料具有独特的电学、光学、热学、声学等性能,并可望与半导体Si和Ga As等兼容,在光电子学、集成光学、微电子学等高技术领域中有广泛的应用前景,因而引起了国际科技界、产业界、军事界及政府部门的极大关注。
With the development of miniaturization and integration of electronic devices and optoelectronic devices, the ferroelectric thin film material with a thickness of one micron has become one of the hot topics in the research of new materials in recent years. Ferroelectric thin films have unique electrical, optical, thermal, acoustic and other properties and are expected to be compatible with semiconductors such as Si and Ga As. They are widely used in optoelectronics, integrated optics, microelectronics and other high-tech fields, It has aroused great concern of the international science and technology, industry, military and government departments.
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