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利用喷雾热解法制备了p型铟锡氧化物透明导电薄膜．主要研究了铟含量和热处理温度对薄膜的晶体结构、导电类型和载流子浓度以及光吸收特性等的影响．结果表明，当In／Sn比较小时，薄膜为金红石结构的二氧化锡，导电类型为n型；当In／Sn比在0．06～0．25范围内且热处理温度T≥600℃时，薄膜仍为金红石结构，但导电类型转为p型的；当In／Sn比超过0．3时，薄膜中有立方相的In2Sn2O7-x生成，由于氧空位的存在，薄膜又转变为n型．因此要获得P型导电的铟锡氧化物薄膜，In／Sn比不宜过低，也不能过高．热处理温度