Ⅴ/Ⅲ对P型GaP掺杂及红光LED量子效率的影响

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利用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD),对红光发光二极管(LED)的窗口层掺杂进行研究。分别在Ⅴ/Ⅲ比为13、26和52的情况下生长GaP材料,结果发现,Ⅴ/Ⅲ比影响Mg的掺杂浓度和载流子迁移率。在上述Ⅴ/Ⅲ比下生长的GaP,外延生长出红光LED外延片并制备器件,结果发现,生长GaP层时,Ⅴ/Ⅲ比为52的红光LED与Ⅴ/Ⅲ比为13相比,输出光功率提高了23.7%,轴向光强提高了20.4%。 Low-pressure metal-organic chemical vapor deposition (LP-MOCVD) was used to study the window layer doping of red light-emitting diode (LED). GaP materials were grown at V / III ratios of 13, 26 and 52, respectively. It was found that the V / III ratio affected the doping concentration of Mg and the carrier mobility. In GaP grown above Ⅴ / Ⅲ ratio, epitaxial growth of red LED epitaxial wafers and the preparation of devices, the results found that the growth of GaP layer, Ⅴ / Ⅲ ratio of 52 red LED and Ⅴ / Ⅲ ratio of 13 , The output optical power increased by 23.7%, the axial intensity increased by 20.4%.
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