【摘 要】
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半导体薄膜的选区外延具有实现二维或三维集成电路器件的潜力。用绝缘材料窗口进行选区外延,可以在分隔的平面几何图形内制做器件,这引起人们更大的兴趣。由于 MBE 在各种外
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半导体薄膜的选区外延具有实现二维或三维集成电路器件的潜力。用绝缘材料窗口进行选区外延,可以在分隔的平面几何图形内制做器件,这引起人们更大的兴趣。由于 MBE 在各种外延方法中独具几个特别的优点,因而近年来人们非常重视用这种技术制做光电子集成电路。实验证明,外延 GaAs 是可以通过非常狭窄的 SiO_2窗口生长在(100)GaAs 衬底上的。实验选用 Cr 掺杂半绝缘的和 Si 掺杂 n~+型的两种(100)GaAs 作衬底。衬底首先用标准方
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