【摘 要】
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通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用该图案与抛光Si处金刚石成核密度的巨大差异 ,实现金刚石薄膜的高选择
【机 构】
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通过传统的光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用该图案与抛光Si处金刚石成核密度的巨大差异 ,实现金刚石薄膜的高选择比生长。该方法具有工艺简单、沉积效率高、选择比高、对底无任何损伤等优点。同时 ,这种方法很容易在不同衬底上实现金刚石薄膜的大面积选择性生长。
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