多孔硅中金属钯的电沉积与表征

• 作 者: 邓建 胡睿 张会 张照云 杨玉青
• 机 构: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,中国工程物理研究院电子工程研究所
• 出 处: 电镀与涂饰
• 发表日期: 2014年16期
• 关键词: 多孔硅 盲孔 钯 电镀 porous silicon blind hole palladium electroplating

采用电沉积法对自制大深径比盲孔（直径7．7～7．8μm，深度78μm）多孔硅进行金属钯填充。镀液组成和工艺条件为：PdCl2 8．8g／L，KCl 15．0g／L，NH3·H2O 50mL／L，乙醇和水各50％（体积分数），pH8～9，电压15V，电流1．5mA，惰性气体搅拌，时间17h。采用扫描电镜和能谱仪分析了钯在多孔硅中的填充情况。结果表明，金属钯在多孔硅盲孔中实现了满载填充，并在孔的外表面也有沉积。本工艺镀液组成简单，为制备三维硅基氚电池提供了技术基础。