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提出了一种新型的超势垒整流器（SBR）。对SBR结构势垒进行了理论分析，建立了该器件正向压降的解析式，并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明：SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极管小，反向恢复特性优于常规PN结二极管；SBR比肖特基二极管的可靠性高。该分析可以很好地指导这类整流器件的设计。
一种新型超势垒整流器
【摘 要】
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提出了一种新型的超势垒整流器（SBR）。对SBR结构势垒进行了理论分析，建立了该器件正向压降的解析式，并设计了该器件的工艺流程。仿真结果表明：SBR的正向压降和功耗比常规PN结二极
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,中国电子科技集团公司第二十四研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2008年4期
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