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近年来,随着新能源产业的快速发展,电力电子系统对功率半导体器件性能提出了更高的要求,作为宽禁带半导体材料的碳化硅功率器件以其相对于传统硅基器件的优异性能,正引起大家的广泛关注。与此同时,碳化硅器件的封装技术正成为限制器件性能发挥的瓶颈。从封装结构和材料角度,探讨了碳化硅功率模块封装技术的最新进展。