高效率多晶硅太阳电池的测试分析

• 作 者: 李倩 汤欢
• 机 构: 英利能源（中国）有限公司
• 出 处: 城市建设理论研究（电子版）
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: 高效率 多晶硅 太阳电池 少子寿命

采用电阻率为1.5-2.0Ω?cm的P型156*156的多晶硅片经制绒、扩散、湿法刻蚀、PECVD沉积和丝网印刷等工序制备了转换效率为17.25%的多晶太阳电池。光致发光（PL）和少子寿命测试仪，对高效率多晶硅片的各工序后的少子寿命以及太阳电池电学参数等特性进行了分析研究。结果指出，转换效率为17.25%的多晶硅电池原硅片有着较低的体缺陷密度，相对较高的少子寿命，尤其烧结后的少子寿命较扩散后少子寿命提高了76%。因此，在铸锭工序如何控制位错、微缺陷、晶界、金属杂质等提高硅片的少子寿命为提高太阳电池转换效率将会起到至关重要的作用。