方波射频电压幅值对微型高场非对称波形离子迁移谱传感器芯片性能的影响

• 作 者: 李华 唐飞 王晓浩 张亮 杨吉 王帆 徐初隆 吝涛 丁力
• 机 构: 清华大学精密仪器与机械学系,中北大学电子与计算机科学技术学院,岛津分析技术研发（上海）有限公司
• 出 处: 分析化学
• 发表日期: 2010年11期
• 关键词: 微机电系统 高场非对称波形离子迁移谱 方波射频电压

基于微机电系统技术（Micro electro mechanical system,MEMS）,研制了微型高场非对称波形离子迁移谱（High-field asymmetric waveform ion mobility spectrometry,FAIMS）传感器芯片。芯片采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀和两次硅-玻璃键合工艺加工,尺寸为18.8mm×12.4mm×1.2mm,其中迁移区尺寸为10mm×5mm×0.2mm。设计了高场非对称方波电源,可输出最大频率2