粘结碳化硼材料中子屏蔽性能及制备工艺研究

来源 :材料科学与工艺 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kaixin314159
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中子准直器在中国散裂中子源(CSNS)的谱仪上起着限制束流截面与发散度的作用,准直器的结构设计中通过在中子飞行管上间隔设置B4C阻挡块可以起到阻挡、吸收屏蔽杂散中子的作用,为此研制了粘结碳化硼中子阻挡块,并对其成型工艺进行了研究,确定了成型最佳粉体尺寸、粘结剂含量和固化温度.对该中子屏蔽材料的中子衰减系数计算结果表明,波长为0.1×10^-10、1×10^-10和15×10^-10m中子通过该材料的线性衰减系数分别为3.42、30.4和449.9cm-1.力学冲击和热重实验结
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