【摘 要】
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东芝公司由于采用了1.2/zm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的lM位动态随机存取存贮器。 为了在与原来拥吲
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东芝公司由于采用了1.2/zm的微细加工技术和该公司特有的器件隔离技术(BOX法)等新工艺,因此在单片上研制了集成度为225万个元件的lM位动态随机存取存贮器。 为了在与原来拥吲大小的总片上集成1M位的动态RAM,则要求: (1)最小设计线宽为1～1.5#m的微细加工技术, (2)相邻元件之间
Toshiba has adopted a 1.2 / zm micro-processing technology and the company’s unique device isolation technology (BOX method) and other new technologies, so the development of a single piece of 2.25 million integrated components of lM bit dynamic random access memory Reservoir. In order to integrate the original RAM with the original size of the total 1MB of dynamic RAM, the requirements are: (1) the minimum design linewidth of 1 ~ 1.5 # m microfabrication technology, (2) between adjacent components
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