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在300－77K温区内对射频溅射制备的a-Si:F,H薄膜样品作了直流电导测量，结果表明，当T＞200K时载流子的传导是以最近邻跳迁传导为主，而在77K＜T＜140K温区变程跳跃传导点了主要地位，费米能级附近的隙态密度约为10^20cm^-3eV^-1。
射频溅射a—Si：F,H中载流子的低温传导
【摘 要】
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在300－77K温区内对射频溅射制备的a-Si:F,H薄膜样品作了直流电导测量，结果表明，当T＞200K时载流子的传导是以最近邻跳迁传导为主，而在77K＜T＜140K温区变程跳跃传导点了主要地位，费米能
【机 构】
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曲阜师范大学物理系,中国科技大学物理系
【出 处】
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曲阜师范大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1992年4期
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