【摘 要】
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本文主要讨论PtSi肖特基势垒红外探测器(SBIRD)研制中,Pt硅化物的形成机理及其特性。着重描述Si材料上溅射沉积Pt膜后,在Ar(N_2)气氛中热处理而反应生成Pt硅化物的物理过程。
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本文主要讨论PtSi肖特基势垒红外探测器(SBIRD)研制中,Pt硅化物的形成机理及其特性。着重描述Si材料上溅射沉积Pt膜后,在Ar(N_2)气氛中热处理而反应生成Pt硅化物的物理过程。最后简单讨论热处理温度、时间、气氛对PtSi形成厚度的影响,并分析PtSi-Si界面势垒高度φ_B~P、1-V曲线和光响应均匀性等特性。
This article focuses on the formation mechanism and characteristics of Pt silicide in the development of the PtSi Schottky barrier infrared detector (SBIRD). The physical process of reactively forming Pt silicide by heat treatment in Ar (N 2) atmosphere is emphatically described. Finally, the effects of heat treatment temperature, time and atmosphere on the formation of PtSi are briefly discussed. The characteristics of PtSi-Si interface barrier height φ_B-P, 1-V curve and the uniformity of light response are analyzed.
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