【摘 要】
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对比研究了吡唑喹啉衍生物（PAQ5）的掺杂对聚N-乙烯基咔唑（PVK）聚合物薄膜载流子传输性能的影响.分析薄膜宏观的电流密度-电场关系发现:电场F在106～107V·cm-1范围时,纯PVK薄膜中电
【机 构】
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山西师范大学物理与信息工程学院,北京交通大学光电子技术研究所教育部发光与光信息技术重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金(Nos.11474017,20811120041);山西师范大学博士科研启动经费资助
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对比研究了吡唑喹啉衍生物（PAQ5）的掺杂对聚N-乙烯基咔唑（PVK）聚合物薄膜载流子传输性能的影响.分析薄膜宏观的电流密度-电场关系发现:电场F在106～107V·cm-1范围时,纯PVK薄膜中电流密度J∝F2.1,而在掺杂了PAQ5（4.8wt%）的PVK薄膜中J∝F2.9.掺杂薄膜导电能力的提高,除了有空穴从阳极注入PVK形成的空间电荷限制电流之外,也有PAQ5使电子从阴极注入和传输形成的传输电流.分析薄膜用飞行时间法测得的瞬态光电流谱可得:在1×105～2×105V·cm-1的低场下,纯PVK薄膜中传导电流的主要是空穴载流子,其迁移率在7.6×10-5cm2·V-1·s-1,而电子迁移的信息却很微弱,PAQ5掺杂浓度为2wt%的PVK薄膜载流子传输性能没有大的变化.在PAQ5掺杂浓度为5wt%的PVK薄膜中,空穴的迁移率为6.0×10-5cm2·V-1·s-1,电子的迁移率为7.9×10-6cm2·V-1·s-1.掺入的PAQ5建立的电子传输通道使掺杂薄膜载流子的传输性能得到显著提高.
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