Mg掺杂Ba（Zr0．25Ti0．75）O3薄膜的介电调谐性能

• 作 者: 孙小华 周生刚 李修能 吴敏
• 机 构: 三峡大学机械与材料学院
• 出 处: 三峡大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2010年4期
• 关键词: BZT薄膜 Mg掺杂 溶胶凝胶 介电调谐性能 BZT thin films Mg doping sol-gel dielectric tunable prope
• 基金项目: 湖北省自然科学基金项目（2008CDB262）,湖北省教育厅项目（Q20081304）

采用溶胶凝胶工艺，在Pt／Ti／SiO2／Si衬底制备了Mg掺杂Ba（Zr0．25Ti0．75）O3（BZT）薄膜．利用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）分析测定了物相微结构和薄膜表面形貌，研究了Mg掺杂含量对BZT微结构和介电调谐性能的影响．结果表明Mg掺杂BZT使薄膜表面粗糙度、晶粒尺寸、介电常量、介电损耗和调谐量都降低；5mol％Mg掺杂BZT薄膜有最大的优值因子为16．3，其介电常数、介电损耗和调谐量分别为289．5、0．016和26．8％．