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用弱粘结煤与石英砂以Ａｃｈｅｓｏｎ工艺合成了ＳｉＣ，用ＳＥＭ研究了弱粘结煤高温焦炭的孔隙结构，并对弱粘结煤８００℃￣１６００℃的焦碳进行了Ｘ射线衍射分析，计算了各温度下的昌结构参数。研究表明，弱粘结煤高温焦炭孔隙率、长径比和表面积大，反应性好，可为ＳｉＣ快速、大范围生长提供有利条件。微昌活化温度范围也和ＳｉＣ的最佳合成温度范围基本一致。