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利用MOSFET导通过程中的线性控制特性实现对脉冲输出前沿的控制，使输出脉冲前沿为类正弦波；利用低输出阻抗驱动信号源实现栅极电容电荷的快速泄放，从而实现MOSFET的快速关断，使得脉冲源输出脉冲后沿陡降。电路设计巧妙地实现了缓升快降脉冲的产生，设计的高压信号源最大输出脉冲幅度可达800V。
基于MOSFET的正向幅度高压脉冲信号源设计
【摘 要】
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利用MOSFET导通过程中的线性控制特性实现对脉冲输出前沿的控制，使输出脉冲前沿为类正弦波；利用低输出阻抗驱动信号源实现栅极电容电荷的快速泄放，从而实现MOSFET的快速关断，使得
【机 构】
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中国工程物理研究院流体物理研究所107室
【出 处】
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高能量密度物理
【发表日期】
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2009年2期
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