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对具超强汞富集能力的基因工程菌在重金属汞离子存在的水体中的生长状况进行了研究.实验所采用的基因工程菌由于外源基因的表达而对Hg2+产生了一定的耐受力, 而且这种耐受力经IPTG诱导后还能得到进一步的增强,耐受能力从Hg2+浓度5mg/L提高到15mg/L.IPTG加入的时机对菌体的生长和耐受力的有效诱导是重要的.一般在OD600为0.5~0.8时加入,且加入后还应保证2h左右的诱导时间.实验结果还表明菌体在生长过程中对碳源的要求很低.