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在传统的籽晶法制备高Nb-TiAl合金PST晶体过程中，首先需要制备适合条件的α籽晶，将其旋转，调整其片层方向与生长方向平行并安装至坩埚底部，其次为了防止α枝晶生长引起与生长方向垂直的片层组织，需要高温度梯度下平面固液界面的生长过程，通常在光学浮区生长炉等设备中才能达到。
北京科技大学新金属材料国家重点实验室采用自籽晶法制备高Nb—TiAl合金PST晶体取得重要进展
【摘 要】
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在传统的籽晶法制备高Nb-TiAl合金PST晶体过程中，首先需要制备适合条件的α籽晶，将其旋转，调整其片层方向与生长方向平行并安装至坩埚底部，其次为了防止α枝晶生长引起与生长方向
【机 构】
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北京科技大学
【出 处】
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中国材料进展
【发表日期】
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2015年4期
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