原位退火处理对ZnS/Si薄膜结晶性能的影响

• 作 者: 赵彬豪 麦合木提·麦麦提 买买提热夏提·
• 机 构: 新疆大学物理科学与技术学院,中国科学院高能物理研究所
• 出 处: 功能材料
• 发表日期: 2018年12期
• 关键词: 脉冲激光沉积 闪锌矿 ZNS薄膜 择优生长 pulsed laser deposition sphalerite ZnS films preferential
• 基金项目: 国家自然科学基金资助项目(61366001,61464010,Y6311C305C).

采用脉冲激光沉积法在Si衬底上生长出厚度为400nm的一系列ZnS薄膜,进行原位退火处理,获得单晶结构的闪锌矿型ZnS薄膜。首次报道了采用原位退火处理后获得单晶ZnS薄膜为立方结构的闪锌矿且薄膜沿(111)晶面择优生长,同时研究了其结晶质量与退火工艺之间的关系。结果显示随着退火温度的升高,薄膜的平均晶粒尺寸由200℃的13.357nm增长到400℃的27.232nm,另外薄膜的平均粗糙度由2.05nm下降达到1.14nm。采用脉冲激光沉积法制备的ZnS薄膜在400℃退火后表现出极好的单晶择优取向生长以及良