【摘 要】
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本文主要报导我们对掺Mn的AsFe_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流-电压特性的初步工作,包括在≤6.5×10~3V/cm的弱场下所观察到的欧姆行为,以及在强场下logI～V~?曲线的直接关系
【机 构】
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兰州大学物理系,兰州大学物理系,兰州大学物理系,
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本文主要报导我们对掺Mn的AsFe_(55)Si_(10)玻璃半导体稳态电流-电压特性的初步工作,包括在≤6.5×10~3V/cm的弱场下所观察到的欧姆行为,以及在强场下logI～V~?曲线的直接关系,并用类受主中心的场发射空穴原理,对强场特性作了说明.样品是掺有0、0.05%,0.1%、0.5%Mn的AsFe_(55)Si_(10)的块状材料,在两端作上欧姆电极.
This paper reports the preliminary work on steady-state current-voltage characteristics of Mn-doped AsFe_ (55) Si_ (10) glass semiconductors, including the ohmic behavior observed in a weak field of ≤6.5 × 10 ~ 3V / cm, The direct relationship between the logI ~ V ~? Curves in strong field and the field emission hole principle at the type of acceptor center are used to illustrate the strong field characteristics.The samples are doped with 0,0.05%, 0.1%, 0.5% Mn AsFe_ (55) Si_ (10) is a bulk material with ohmic electrodes on both ends.
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