【摘 要】
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本文用x射线衍射及I—V测量法研究了Al/TiSi_2/Si系统热稳定性及肖特基势垒特性。热稳定性的研究结果表明;系统在550℃以下退火是热稳定的;在更高的温度下退火,Al开始与TiSi_
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所 710071,710071,710071
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本文用x射线衍射及I—V测量法研究了Al/TiSi_2/Si系统热稳定性及肖特基势垒特性。热稳定性的研究结果表明;系统在550℃以下退火是热稳定的;在更高的温度下退火,Al开始与TiSi_2起反应,形成了(Ti_7Al_5)Si-(12)三元化合物。在进行电特性研究时,发现系统在450℃退火时,Al已渗透TiSi_2而使肖特基势垒二极管失效。
In this paper, the thermal stability and Schottky barrier characteristics of Al / TiSi_2 / Si system have been investigated by X-ray diffraction and I-V measurement. The results of thermal stability show that the system annealed at 550 ℃ is thermally stable. When annealed at higher temperature, Al reacts with TiSi_2 to form a (Ti_7Al_5) Si- (12) ternary compound. In the study of electrical properties, it was found that when the system was annealed at 450 ℃, Al had penetrated TiSi_2 to deactivate the Schottky barrier diode.
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