【摘 要】
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三元黄铜矿结构（也称类金刚石结构）半导体是一类具有热电转换潜力的新型热电材料.本文采用电负性更小的Mn元素替换CuInTe2黄铜矿结构半导体中的Cu元素,设计制备贫Cu化合物Cu（1-x
【机 构】
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黑龙江工业学院,中国矿业大学材料科学与工程学院,太原理工大学材料科学与工程学院,宁波工程学院材料学院
【基金项目】
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国家自然科学基金（批准号：51171084）, 浙江省自然科学基金（批准号：LY14E010003）, 宁波市自然科学基金（批准号：2014A610016）资助的课题
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三元黄铜矿结构（也称类金刚石结构）半导体是一类具有热电转换潜力的新型热电材料.本文采用电负性更小的Mn元素替换CuInTe2黄铜矿结构半导体中的Cu元素,设计制备贫Cu化合物Cu（1-x）InMnxTe2.研究表明,当Mn含量较低时,Mn优先占位在In位置产生受主缺陷MnIn.因此随着Mn含量的增大,载流子浓度和电导率均得到改善.但当Mn含量进一步增大后,Mn可同时占位在In位置和Cu位置,除产生受主缺陷MnIn外,还能产生施主缺陷Mn（Cu）-＋.由于两类极性相反的缺陷之间的湮灭现象,使得缺陷浓度及载流
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