【摘 要】
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在欧姆加热和低混杂波电流驱动(LHCD)条件下,利用碘化汞(HgI2)半导体探测器和碘化钠(NaI)探测器测出了HL-1M装置的X射线能谱,研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点,给出了X射线辐射强度与
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在欧姆加热和低混杂波电流驱动(LHCD)条件下,利用碘化汞(HgI2)半导体探测器和碘化钠(NaI)探测器测出了HL-1M装置的X射线能谱,研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点,给出了X射线辐射强度与LHCD能量沉积的关系
X-ray energy spectra of the HL-1M device were measured by using HgI2 semiconductor detector and sodium iodide (NaI) detector under ohmic heating and low hybrid current drive (LHCD) conditions. The characteristics of electron velocity distribution and electron temperature change before and after wall silicidation are given, and the relationship between X-ray intensity and LHCD energy deposition is given
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