压电层体积分数对BTO基复合薄膜磁电性能的影响

• 作 者: 代清平 吴冬妮 韦俊 吕兵 邓朝勇
• 机 构: 贵州大学大数据与信息工程学院,贵州师范大学物理与电子科学学院
• 出 处: 人工晶体学报
• 发表日期: 2020年1期
• 关键词: 多铁材料 复合薄膜 压电性能 磁电耦合 multiferroic materialcomposite filmpiezoelectric propertymag
• 基金项目: 国家自然科学基金(51762010,51462003),贵州省科学技术基金(黔科合LH字[2016]7217号,黔科合J字[2010]2146,黔科合外G字[2013]7019),贵州省教育厅自然科学研究项目(黔教合KY字[2016]139),贵州师范大学博士启动基金(韦俊)

基于力学参数模型研究了NFO/BTO层状复合薄膜的磁电效应,发现当压电相的体积分数约为0. 47时,磁电耦合性能最好。通过脉冲激光沉积法在掺0. 7%Nb的(001)-STO衬底上生长了不同体积分数比的2-2型NFO/BCZT异质结构的磁电复合薄膜。XRD结果表明:NFO/BCZT磁电复合薄膜均为(00l)择优取向生长结构。通过锁相技术测试了NFO/BCZT复合薄膜的磁电耦合系数,测试结果表明压电相体积稍大于铁磁层体积时,磁电性能最佳。实验结果与理论结果存在一定差异,主要是由于材料实际参数与计算所用参数有