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本文探讨了用离轴照明技术提高光刻工艺容限的方法。通过数值孔径分别为０．５４和．４８透镜系统的实验数据介绍了该技术的优、缺；点，并讨论了其在今后应用于亚半微米图形曝光的潜力所在，结合普通抗蚀剂工艺分析了该技术对薄膜工艺的影响。
用离轴照明进行0．35μm光刻
【摘 要】
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本文探讨了用离轴照明技术提高光刻工艺容限的方法。通过数值孔径分别为０．５４和．４８透镜系统的实验数据介绍了该技术的优、缺；点，并讨论了其在今后应用于亚半微米图形曝光的潜力所在，结合
【出 处】
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电子工业专用设备
【发表日期】
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1994年2期
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