【摘 要】
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对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１５～１０１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝
【机 构】
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南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室
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对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１５～１０１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝光，光强是通常多孔硅的数倍以上，谱峰处于４８０ｎｍ和５０５ｎｍ附近．这一方法简便有效地实现了硅基材料的蓝光发射．
Single-crystal silicon C + implantation, implantation energy of 50keV, implantation dose of 1 × 1015 ~ 1017 / cm2. After annealing at 950 ° C for 1 hour in N2, the implanted layer formed a β-SiC precipitate with a size of 1 to 3 μm. Then the sample is made into porous structure by electrochemical etching method. Under ultraviolet excitation, the sample can emit blue light with greater intensity, which is several times more than that of porous silicon, and the peak is at 480nm and 505nm. This method is simple and effective to achieve a blue light emission of silicon-based materials.
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