可用于弱光探测器的量子线研究进展

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以量子线作为导电沟道的场效应弱光探测器可在低工作电压下达到很高灵敏度。文章主要对可用于此种弱光探测器的V型和脊形量子线的生长机理和制备方法进行综述,给出了量子线的PL测试结果。采用MBE外延生长法在V型槽图形衬底上生长了GaAs/AlGaAs量子线FET外延结构,扫描电子显微镜下初步判定在V型槽底部形成了截面近三角形的量子线结构。 The field effect weak photodetector that uses quantum wire as the conductive channel can reach the very high sensitivity under the low working voltage. In this paper, the growth mechanisms and preparation methods of V-shaped and ridge-shaped quantum wires which can be used for such weak light detectors are reviewed. The PL test results of quantum wires are given. A GaAs / AlGaAs quantum wire FET epitaxial structure was grown on a V-shaped grooved substrate by the MBE epitaxial growth method. Under the scanning electron microscope, a nearly triangular quantum wire structure was formed at the bottom of the V-groove.
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