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摘要：采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(100)硅衬底发生固相反应直接生成CoSi2，证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性．通过X射线衍射图谱发现，当退火时间相同时，在610C时先形成CoSi2(111)织构，750℃时(100)取向的CoSi2生长显著．此外，在微波作用下，无需先形成富Co的CoSi2和CoSi，就能直接得到稳态的CoSi2，不同于常规的热处理．分析认为这是因为微波可以促进固相反应中Co原子的扩散，有利于CoSi2形核生长．