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由于功率MOSFET管输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，但开关速度较慢。为提高开关速度，主要着眼于提供较大的“过”驱动电压和较快的驱动前沿。由图1可知‘过’：
4kV功率MOSFET管纳秒脉冲源
【摘 要】
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由于功率MOSFET管输入输出电容大，故用其制作的脉冲源抗脉冲电磁干扰能力较强，但开关速度较慢。为提高开关速度，主要着眼于提供较大的“过”驱动电压和较快的驱动前沿。由图1可
【出 处】
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中国工程物理研究院科技年报
【发表日期】
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2004年1期
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