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通过优化多量子阱纳米线激光器内核和外壳，美国科研人员得到了一种控制和调谐范围最大的激光器。他们首次合成了包围纳米线内核的同轴多量子阱，研究了纳米线激光器的谐振腔和增益介质两个关键因素。虽然纳米线激光器不是一个新概念，但以前的研究都集中在同质结半导体上，如GaN。这意味着激光波长受材料带隙限制，很难能设计出具有可调谐特性的激光器。作为对比，他们采用GaN作为纳米线内核，InGaN／GaN作为外壳组成了可调谐增益介质。通过改变铟组分，室温下发射波长范围达到了365-494nm。