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高压静电场下盆栽水萝卜、使用含３２Ｐ培养液和由８种无机离子组成的培养液，测试３２Ｐ的放射强度分布和８种无机元素的分布，结果在土壤和培养液上层３２Ｐ的放射强度分别比对照高１５．１９％和６３．７３％，下层分别比对照低１８．３９％和２９．０５％。静电场下生长在含３２Ｐ土壤中的水萝卜叶片中３２Ｐ放射强度比对照高６６．５７％，而根部较对照低８．２７％。在静电场作用下，培养液中无机离子向电场的正极方向移动＊（