ANTIMONY INDUCED CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON

• 作 者: Y. Wang H.Z. Li C.N. Yu G.M. W
• 机 构: SchoolofScience,CenterofEngineeringEducation,SchoolofMaterialsScienceandEngineering,DevelopmentofTec
• 出 处: 金属学报：英文版
• 发表日期: 2007年3期
• 关键词: 锑 硅 薄膜 多晶 antimony polycrystalline silicon thin film
• 基金项目: Acknowledgements--This work was supported by the Foundation of Beijing Municipal Education Commission ofChina （No. KM200710017009 and Z0610099）.

锑导致了 PVD (物理蒸汽免职) 的结晶化非结晶的硅能在蓝宝石底层上被观察。很大的结晶区直到几十测微计能被形成。结晶化的区域的 Si 衍射模式能与 TEM (传播电子显微镜学) 被观察。当锑层被 MBE (分子的横梁取向附生) 与热蒸发形成的层相比扔时，仅仅一些和 1 μm 的顺序的小得多的晶体被形成。高真空的使用是必要的以便观察到任何 Sb 根本导致了结晶化。另外采取措施限制锑的蒸发是必要的。