【摘 要】
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以YSZ为基片对以乳酸为溶剂的Gd Bi O3(GBO)缓冲层的化学溶液法(CSD)快速制备工艺进行了研究,着重研究了工艺温度对挥发和外延过程的影响。研究结果表明,涂覆薄膜中的乳酸可
【机 构】
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西南交通大学磁浮技术与磁浮列车教育部重点实验室超导与新能源研究开发中心,
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以YSZ为基片对以乳酸为溶剂的Gd Bi O3(GBO)缓冲层的化学溶液法(CSD)快速制备工艺进行了研究,着重研究了工艺温度对挥发和外延过程的影响。研究结果表明,涂覆薄膜中的乳酸可以在115℃-30min内几乎完全挥发,低于100℃时难以完全挥发出无水的硝酸盐混合膜。Ar气中GBO的最佳外延温度为800℃时间为1h。GBO缓冲层CSD法制备总工艺时间约为1.5小时。在此YSZ/GBO缓冲层上CSD法制备的YBa2C3Oz膜的转变温度可达90K。
A rapid chemical process (CSD) rapid preparation process of Gd BiO3 (GBO) buffer layer using lactic acid as the substrate was studied with YSZ as the substrate. The effects of process temperature on the volatilization and epitaxy process were studied emphatically. The results show that the lactic acid in the film can be almost completely volatilized in 115 ℃ -30min. It is difficult to completely volatilize the nitrate-free mixed membrane below 100 ℃. The optimal epitaxial temperature of GBO in Ar gas is 800 ℃ for 1h. GBO buffer layer CSD preparation of the total process time is about 1.5 hours. In this YSZ / GBO buffer layer prepared by CSD YBa2C3Oz film transition temperature up to 90K.
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