【摘 要】
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本文详细的叙述了SiC SBD和SiC MOSFET器件Pspice建模过程,SiCSBD由于结构简单,本文根据Pspice Referenceguide中提到的二极管物理参数提取理论,详细叙述参数提取和温度特性
【机 构】
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湘潭大学物理与光电工程学院,湖南省德雅华兴科技研究院,株洲中车时代电气半导体事业部
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本文详细的叙述了SiC SBD和SiC MOSFET器件Pspice建模过程,SiCSBD由于结构简单,本文根据Pspice Referenceguide中提到的二极管物理参数提取理论,详细叙述参数提取和温度特性拟合。从而建立一个简单实用的器件模型。借助于功率分析仪对SiC MOSFET进行参数测试。运用matlab进行导通电阻,阈值电压,跨导等相关参数拟合,然后进一步拟合出输出输入特性曲线。对SiC MOSFET的极间电容做最简单的处理,且考虑极间电容随VDS两端电压的变化而变化。最后对比不同温度下的S
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