【摘 要】
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中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi
【机 构】
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河北工业大学材料研究中心,河北工业大学材料研究中心,河北工业大学材料研究中心 天津300310,天津300310,天津300310
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中子嬗变掺杂直拉硅单晶(NTDCZSi)在1050～1100℃6h退火时,体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷.光致发光(PL)在0.76～1.000eV范围出现了PL峰,而非中照的CZSi在相同条件下退火却没有检测出明显的PL峰.本文与已发表过的文献进行了比较,初步认定本实验条件下出现的0.896eV、0.765eV、0.909eV、0.773eV是中照硅退火时由于产生了氧沉淀及其衍生的二次缺陷引入的深能级缺陷PL峰.
Neutron-transmutated Czochralski silicon (NTDCZSi) annealed at 1050-1100 ° C for 6h produced oxygen precipitation and secondary defects with larger irradiation defects as the core. The photoluminescence (PL) ~ 1.000eV PL peak appears, while the non-Chinese CZSi annealed in the same conditions but did not detect obvious PL peak.This paper and the published literature were compared, initially identified in this experimental conditions appear 0.896eV , 0.765eV, 0.909eV, 0.773eV is the deep level defect PL peak induced by the secondary precipitation of oxygen precipitation and its derivation during the middle silicon annealing.
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