Properties of Al-doped Copper Nitride Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering

• 作 者: LI Xing＇ao LIU Zuli ZUO Anyou
• 机 构: DepartmentofPhysics,DepartmentofPhysics
• 出 处: 武汉理工大学学报：材料科学英文版
• 发表日期: 2007年3期
• 关键词: 氮化铜薄膜 铝掺杂 反应磁控溅射法 电阻系数 显微硬度 copper nitride film magnetron sputtering resistivi
• 基金项目: Funded by the National Natural Science Foundation of China （No.10574047）, and the Key Program of the Education Branch of Hubei Province of China （No. D200529002）

Cu3N；艾尔 x Cu3N 电影与反应磁控管劈啪作响被准备方法。二部电影在 0.8 Pa N2 部分压力在玻璃底层上被扔；由使用纯 Cu 的 100 ° C 底层温度；艾尔目标分别地。X 光检查衍射(XRD ) 大小证明未做的电影与 anti-ReO3 结构由 Cu3N 雏晶组成；采用[111 ] 比较喜欢的取向。做 Al 的一氮化三铜的生长拍摄的 XRD 表演(艾尔 x Cu3N ) 被做艾尔，强烈影响紧张[111 ] 有增加艾尔的集中的山峰减少；艾尔的高集中能阻止 Cu3N 结晶化。AFM