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在不同电沉积条件下形成CdSe薄膜,并测定它们的化学计量组成、掺杂浓度和少子扩散长度,研究了电沉积条件对薄膜光电性能的影响。发现在0.1mol/1 CdSO_4+4mmol/1 H_2SeO_3+0.2mol/1 H_2SO_4溶液中、于-0.685V(vs,SCE)下得到的CdSe薄膜具有较高的光电转换效率;提高镀液中H_2SeO_3的浓度会使沉积层中的Se过量。利用扫描电镜的EDAX测量微区组成,讨论了过量Se或Cd对薄膜光电性能的影响。根据光吸收量和光电池等效串联电阻两个因素分析沉积层厚度的最佳选择