SmTbCo交换耦合双层膜的制备及特性研究

• 作 者: 俞伟钧 钱显义 黄致新
• 机 构: 常州工学院理学院,常州公学院电子信息与电气工程学院,华中师范大学物理科学与技术学院
• 出 处: 湖北大学学报：自然科学版
• 发表日期: 2008年4期
• 关键词: 薄膜 制备 交换耦合 磁特性 thin film preparation exchange-coupled magnetic＇ properties
• 基金项目: 国家自然科学基金（60490291）资助项目

采用射频磁控溅射方法制备SmTbCo交换耦合双层膜并对其磁特性进行研究．所制备的SmTbCo双层膜，是由饱和磁化强度为340emu／cm^3的富过渡金属读出层和矫顽力为5．80kOe的富稀土写入层构成．通过交换耦合，具有大的饱和磁化强度SmTbCo读出层的矫顽力，可以由1．85kOe提高到5．96kOe．双层薄膜的交换耦合及其在外场中的磁化行为，可以由微磁模型得到合理的解释．