【摘 要】
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为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题，在光刻工艺的基础上，采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法，制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。
【机 构】
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大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室,大连理工大学辽宁省微纳米及系统重点实验室
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为解决微流控芯片模具在微电铸工艺中铸层与基底结合力差的问题，在光刻工艺的基础上，采用掩膜电化学刻蚀和微电铸相结合的方法，制作出了结合力较好的镍基双十字微流控芯片模具。针对掩膜电化学刻蚀的工艺参数进行了试验研究，选定了制作微流控芯片模具的最佳工艺参数，解决了酸洗引起胶膜脱落失效、刻蚀引起侧蚀等问题。使用剪切强度表征界面结合强度，运用剪切法测量了微电铸层与基底的剪切强度，定量分析了酸洗工艺和刻蚀工艺的参数对界面结合强度的影响。试验结果表明，酸洗20s后电铸层与基底的剪切强度相对于直接电铸提高了98.5%，刻蚀
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