中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究

• 作 者: 刘岩 陈伟 杨善潮 齐超 王桂珍 林东生 郭晓强 金军山
• 机 构: 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室
• 出 处: 原子能科学技术
• 发表日期: 2014年S1期
• 关键词: 翻转效应 翻转阈值 中子辐照 SRAM upset effect upset threshold neutron irradiation SRAM

对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。