SOI材料微结构的TEM分析

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tp137907226

【摘要】

：

SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料.SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构.利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构,对其顶层硅及埋层的

【作者】

：

沈仲汉周永宁张昕吴晓京张苗叶斐陈猛

【机构】

：

复旦大学材料科学系,上海新傲科技有限公司

【出处】

：

电子显微学报

【发表日期】

：

2005年5期

【关键词】

：

SOI晶圆 TEM分析微结构硅岛结构缺陷 SOI wafer TEM analysis microstructure silicon island

【基金项目】

：

上海市科委资助项目

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SOI晶圆材料正在成为制备IC芯片的主要原材料.SOI材料的质量很大程度上取决于顶层硅及埋层的结构.利用TEM,系统地研究了3种实验条件下的SOI材料的微结构,对其顶层硅及埋层的厚度、厚度的均匀性进行了定量分析,对高剂量SIMOX样品中存在的硅岛密度进行了估算,并对顶层硅中的结构缺陷进行了观察分析.

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